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AlGaN / GaN-Feldeffekttransistoren : Prozeßtechnologische Ansätze zur Optimierungvon DC- und HF-Eigenschaften

Autor(en):

Göttingen, 15. Juli 2001
Seiten: 180
Auflage: 1
Sprache: DE
ISBN-10: 3898731669
ISBN-13: 9783898731669

Zugeordnete Fachbereiche:

Physik

Kategorie:

Dissertation

Bezugsmöglichkeiten

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